一种金刚石(111)面上的石墨烯制备方法,其主要步骤为:1)在衬底上生长非掺杂的金刚石过渡层:把衬底放在热灯丝化学气相沉积系统的腔体中衬底托上,生长金刚石过渡层;2)在金刚石过渡层上生长B掺杂的金刚石膜;3)退火自组织形成石墨烯。本发明可以制备出的样品尺寸比较大,从纳米尺度到微米甚至毫米尺度。本发明的自组装生长石墨烯的方法简便,比较容易实现,且发明中所生长的石墨烯面积可控性较高,可以达到目前多数方法所不能实现的微米尺寸以上。此外,由于金刚石的很多优异特性,以及掺硼金刚石衬底的不对称性,使得在硼掺杂金刚石衬底上形成的石墨烯更容易产生能隙,从而更有利于石墨烯在器件中的应用。
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